SJT 10152-1991 集成电路主要工艺设备术语
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ID： |
3B4172EBAE0743C0BB0E5260B75B411C |
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文件大小(MB)： |
1.76 |
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页数： |
67 |
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文件格式： |
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日期： |
2009-6-11 |
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吕J,中华人民共和国电子工业行业标准,sa/T 10152--91,集成电路主要工艺设备术语,1991一04-02发布1991-07-01实施,中华人民共和国机械电子工业部发布,目次,1 材料制造设备术语“”“”，”，’”””‘，，一(1),2 制版设备术语“，.，，”‘，. .. (4),3 光刻设备术语”.. (9),4 掺杂设备术语”‘““.. (19),5 薄膜淀积设备术语‘，，，，‘，.，。，，一(2幻,6 后工序设备术语“‘，，‘‘。，。 ，，，，，，，. . (27),7 检讲设备术语..，，.”(30),附录A 汉语索引”，.. (35),附录B 英文索引，. (50),中华人民共和国电子工业行业标准,集成电路主要工艺设备术语,SJ/T 10152-91,Terms Relating to Main Equipment for,Int egratedC ircuitT echnologies,主 题 内 容与适用范围,本 标 准 规定了半导体集成电路制造工序主要生产设备的有关术语及定义.,本 标 准 适用于半导体集成电路制造工序主要生产设备的研究、生产、使用、检验、教学和技,术交流,材料制造设备术语,单晶 炉crystalg rowingf urnace,以高 温熔化方法由原材料制备或提纯单质或化合物半导体单晶锭的设备,1 直拉单晶沪Czochralski crystal puller,在 适当 的 温度和工作气氛控制下，将特制的硅单晶籽晶与熔化于柑塌内的高纯多晶硅,材 料 相 接触，并在籽晶与增坍的相对旋转中按一定速度垂直向上提拉籽晶，使硅熔体,不 断 沿 籽晶晶体取向结晶，直接.拉制成单晶硅锭的设备,1.1 增坍crucible,由石 英 制 成 的供盛装和熔化炉料的容器,1.2 柑垠轴crucible shaft,用来 连 接 增飒，并带动其按一定速度升降、转动的部件,1.3 籽晶杆seed holder,用 来 装 卡 籽 晶，带动其按一定速度升降、转动，并提拉生长成的单晶锭的部件,1.4 籽晶行程seed travel,籽 晶 杆 带 动 籽晶在炉内提拉晶锭垂向移动的最大直线距离,1.5 直径自动控制系统automated diameter control system,利 用 红 外 成 象方法对固一液界面的温度梯度进行监控，以实现晶锭直径恒定的自动,控 制 装 置 ,1.6 晶锭直径偏差ingot diameter deviation,在 晶 锭 的 等 径部分，沿同一侧母线方向直径的最大值与最小值之差,1.7 晶体取向crystal orientation,又 称 晶 向 。 半导体单晶体或晶片的晶格排列方向.,2 磁场直拉单晶炉ma"netic Czochralski crvstal Duller,中华人民共和国机械电子工业部1991-04-02批准1991-07-01实施,SJ/T 10152-91,外 部 设 有 电 磁铁，以横向或纵向强磁场提高熔体运动粘滞性，抑制熔体对流和涡流的,直 拉 单 晶 炉 ,1.1.3 悬浮区熔单晶炉float zone crystal grower,在 真 空 或 隋 性气体保护下，用移动的高频感应线圈对沿轴线垂立的多晶料棒进行自下,而 上 的 狭 窄 区段加热熔化，熔融材料依靠自身表面张力悬浮于原位，并在冷却的一端,沿 籽 晶 晶 向 结晶的过程中得到进一步提纯的硅单晶生长设备,1-1.4 电子束单晶炉electronb eam crystalg rower,又称 电 子 束 区 域熔炼炉。用电子束轰击方法对多晶硅棒进行窄区段加热熔炼的悬浮区,熔 单 晶 炉 ,1.1. 5 液封直拉单晶炉liquid encapsulated Czochralski crystal puller,利 用 过 压 隋 性 气 体及漂浮于熔体表面的液态封盖剂来维持合成条件，并阻止高燕汽压,元 素 挥 发 ，以 拉 制 GaAs或其它化合物单晶锭的直拉单晶炉.,1.1.5.1 工作压力working pressure,反 应 室 内 为 维 持 G aA s的化学合成及单晶生长条件所充入的惰性气体压力,1.1.6 高压单晶炉high pressure crystal puller,反 应 室 内 隋 性 气 体压力在2MPa以上的液封直拉单晶炉,1-1.7 中压单晶炉medium pressure crystal puller,反 应 室 内 隋 性 气 体压力在。.5到2MPa之间的液封直拉单晶炉,1.1.8 低压单晶炉low pressure crystal puller,反 应 室 内 惰 性 气 体压力在。.3 MPa左右的液封直拉单晶炉,1.1. 9 水平区熔单晶炉horizontal Bridgman crystal grower,以 密 封 石 英 管 维 持合成和单晶生长条件，以矩形截面石英舟盛放As,Ga原料，当该石,英 反 应 曾 与 窄 区 段加热护按一定速度相对水平移动时，高温合成的GaAs名体即在冷,却 的 一 侧 沿 籽 晶 晶向结晶，并得到进一步提纯的GaA。方晶生长设备.,1.2 切片机slicing machine,将 半 导 体 单 晶等脆硬棒材切割成适当厚度片材的设备,1.2.1 内圆切片机inner diameter saw,利 用内 圆 刃 部 镀有金钢石细粒的环形不锈钢体刀片。将半导体单晶、陶瓷等脆硬棒材,切 割 成 高 精 度 薄 片的设备.,1.2.1.1 主轴spindle,……
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